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產(chǎn)品資料

SiC高溫氧化爐

  • 如果您對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話(huà),可以
  • 產(chǎn)品名稱(chēng):SiC高溫氧化爐
  • 產(chǎn)品型號(hào):YY高溫氧化爐
  • 產(chǎn)品展商:燕園科技
  • 產(chǎn)品文檔:無(wú)相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹

專(zhuān)用于SiC晶圓的高溫氧化工藝,可實(shí)現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2, N2O,NO,NO2或濕法氧化,采用無(wú)金屬加熱和真空裝備。 適用工藝:氧化

產(chǎn)品描述

技術(shù)指標(biāo)

? 晶片尺寸:6-8英寸    Wafer size: 6-8 inches

? 制程溫度范圍: 800-1600°C  Process temperature range: 800-1600°C

? 批次片數(shù): 50-75片   Batch capacity: 50-75 pcs

產(chǎn)品特點(diǎn)

? 采用立式結(jié)構(gòu)、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩(wěn)定

The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable

?Robot 自動(dòng)傳送

Robot Auto Transfer (Optional)


? 多點(diǎn)控溫,溫度均勻

Multi-point temperature control, uniform temperature


? 具有多種報(bào)警功能及設(shè)備保護(hù)功能

Has various alarm functions and safety protection functions



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